内存时序啥意思

内存时序（Memory Timing）是描述内存性能的一组参数，它决定了内存条与内存控制器之间通信的速度。内存时序通常以时钟周期为单位，并且以四组数字的形式表示，例如“16-18-18-38”。这些数字分别代表不同的延迟参数：

1. **CL （CAS Latency）** ：内存控制器发出读取命令后，内存芯片响应并开始数据传输的延迟。

2. **tRCD （RAS to CAS Delay）** ：内存行地址传输到列地址的延迟时间。

3. **tRP （Row Precharge Time）** ：内存行预充电时间，即从一个行被激活转换到另一个行被激活所需的时间。

4. **tRAS （Active to Precharge Delay）** ：内存行激活到预充电的延迟时间。

较低的内存时序意味着更短的延迟时间和更快的数据访问速度，从而提升整体的系统性能。在选购内存时，除了考虑内存频率，内存时序也是一个非常重要的参数

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